晶點實際上是“過度聚合物”,即:“晶點”部位聚合物的分子量要高于周圍同種聚合物的分子量。由于分子量高,因此,晶點部位聚合物具有較高的熔點#FormatStrongID_2#在熔化時,熔體具有較高的粘度。晶點部位聚合物在吹膜或流延時,不能與周圍的同種聚合物相互均勻分散、混合,并在熔體吹成或流延成薄膜后,先于周圍的同種聚合物凝固。因此,形成“箭頭狀”或“球狀”過度聚合物的凝固體,習(xí)慣上被稱為“晶點”。
2.晶點產(chǎn)生的原因
物料原因
(1)聚合物中有殘留的催化劑;
(2)聚合物熔體粘滯于生產(chǎn)設(shè)備(包括聚合設(shè)備及吹膜設(shè)備)金屬表面,在高溫下,殘留的;
(3)催化劑對聚合物繼續(xù)進行催化聚合作用,因此形成過度聚合物;
聚合物中所含的氧,也會使聚合物熔體產(chǎn)生晶點(加入一定數(shù)量的抗氧劑,有防止氧對晶點的產(chǎn)生作用)。
工藝原因
(1)由聚合工藝所造成的晶點。不同的聚合設(shè)備及工藝,對晶點的生成有不同的影響。例如:一些名廠原料,因生產(chǎn)技術(shù)高,聚合物中殘留的催化劑含量低,設(shè)備結(jié)構(gòu)好,因此,原料本身所含的晶點少。但一些品質(zhì)較差的原料,因生產(chǎn)技術(shù)及設(shè)備問題,造成原料本身所含的晶點多。
(2)由工藝所造成的晶點。例如:好的成型設(shè)備所制備的薄膜,晶點少。差的設(shè)備所制的薄膜,晶點多。
3.減少或基本消除晶點的方法
綜上所述,在薄膜吹制工藝中消除晶點,主要有兩個途徑:
(1)提高加工設(shè)備的濾網(wǎng)細度(例如:將濾網(wǎng)改為120目,甚或150目-用于超薄膜)。
(2)在生產(chǎn)過程中添加表面潤滑劑,使被加工的聚合物熔體不能粘滯于吹膜設(shè)備表面。
從生產(chǎn)工藝上來說,雖使用較細的濾網(wǎng)可濾除大部份聚合物中的原生晶點,同時亦可濾除設(shè)備螺桿及炮筒部位因聚合物粘滯于螺桿表面所造成的晶點,但問題是設(shè)備背壓因此提高,對某些陳舊成型設(shè)備來說,難以做到。因此,依靠勤換濾網(wǎng),也能對控制晶點提供幫助。
到目前為止,比較有效的晶點控制手段是采用高性能的氟工藝助劑。高性能氟工藝助劑,由于它的聚合物分子具有高極性的特點,使它能從烯烴類聚合物(例如:PE,PP)熔體中迅速溢出,并粘附于設(shè)備的金屬表面,從而消除了聚合物熔體在設(shè)備金屬表面的粘滯層。
因此,聚合物熔體能持續(xù)勻速地被推動前進,消除了粘滯于金屬表面的聚合物熔體過長時間受熱的現(xiàn)象,防止了殘留的催化劑對聚合物的持續(xù)聚合,最終防止了在薄膜成型加工工藝中所產(chǎn)生的晶點。
另一方面,由于氟工藝助劑也能粘附于濾網(wǎng)表面,使聚合物熔體流經(jīng)濾網(wǎng)的阻力下降。因此,氟工藝助劑的使用,為采用較細的濾網(wǎng)提供了工藝條件。而較細濾網(wǎng)的采用,對濾除由聚合物生產(chǎn)時所產(chǎn)生的原生晶點,是重要的工藝措施。